 |
Dioda Schottky Perlawanan Arus Tinggi Untuk Catu Daya Sakelar Frekuensi Tinggi
Detail produk:
| Tempat asal: | Dong Guan Cina |
| Nama merek: | Uchi |
| Sertifikasi: | CE / RoHS / ISO9001 / UL |
| Nomor model: | MBR20100 |
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
| Kuantitas min Order: | perundingan |
|---|---|
| Harga: | Negotiation |
| Kemasan rincian: | Paket ekspor / Negosiasi |
| Waktu pengiriman: | perundingan |
| Syarat-syarat pembayaran: | T/T |
| Menyediakan kemampuan: | 2000000 per bulan |
|
Informasi Detail |
|||
| Jenis: | Dioda Schotky | Fitur: | produk RoHS |
|---|---|---|---|
| Jenis Paket: | Melalui lubang | Max. Maks. Forward Current Maju Arus: | 30A, 30A |
| Maks. Tegangan Maju: | 0,9V, 0,9V | Maks. Tegangan Balik: | 200V |
| Cahaya Tinggi: | Dioda Schottky Perlawanan Arus Tinggi,Dioda Schottky Bersertifikat ISO9001,200V Melalui Dioda Lubang |
||
Deskripsi Produk
Dioda Schottky Perlawanan Tinggi Saat Ini Untuk Catu Daya Sakelar Frekuensi Tinggi
MBR20100.pdf
Struktur sirkuit internal penyearah Schottky tipikal didasarkan pada substrat semikonduktor tipe-N, di mana lapisan N-epitaxial dengan arsenik sebagai dopan terbentuk.Anoda menggunakan bahan seperti molibdenum atau aluminium untuk membuat lapisan penghalang.Silikon dioksida (SiO2) digunakan untuk menghilangkan medan listrik di area tepi dan meningkatkan nilai tegangan tahan tabung.Substrat tipe-N memiliki ketahanan on-state yang sangat kecil, dan konsentrasi dopingnya 100% lebih tinggi daripada lapisan-H.Lapisan katoda N+ dibentuk di bawah substrat untuk mengurangi resistansi kontak katoda.Dengan menyesuaikan parameter struktural, penghalang Schottky terbentuk antara substrat tipe-N dan logam anoda, seperti yang ditunjukkan pada gambar.Ketika bias maju diterapkan ke kedua ujung penghalang Schottky (logam anoda terhubung ke kutub positif catu daya, dan substrat tipe-N terhubung ke kutub negatif catu daya), lapisan penghalang Schottky menjadi lebih sempit dan resistansi internalnya menjadi lebih kecil;sebaliknya, jika Ketika bias balik diterapkan pada kedua ujung penghalang Schottky, lapisan penghalang Schottky menjadi lebih lebar dan resistansi internalnya menjadi lebih besar.
Fitur
1. Struktur katoda umum
2. Kehilangan daya rendah, efisiensi tinggi
3. Suhu Persimpangan Operasi Tinggi
4. Cincin pelindung untuk perlindungan tegangan berlebih, Keandalan tinggi
5. Produk RoHS
Aplikasi
1. Saklar frekuensi tinggi Catu daya
2. Dioda wheeling gratis, aplikasi perlindungan Polaritas
KARAKTER UTAMA
|
JIKA(AV) |
10(2×5)A |
|
VF(maks) |
0,7V (@Tj=125°C) |
|
Tj |
175 °C |
|
VRRM |
100 V |
PESAN PRODUK
|
Model |
Menandai |
Kemasan |
|
MBR10100 |
MBR10100 |
KE-220C |
|
MBRF10100 |
MBRF10100 |
KE-220F |
|
MBR10100S |
MBR10100S |
KE-263 |
|
MBR10100R |
MBR10100R |
KE-252 |
|
MBR10100V |
MBR10100V |
KE-251 |
|
MBR10100C |
MBR10100C |
KE-220 |
PERINGKAT MUTLAK (Tc=25°C)
|
Parameter |
Simbol |
Nilai |
Satuan |
||
|
Tegangan balik puncak berulang |
VRRM |
100 |
V |
||
|
Tegangan pemblokiran DC maksimum |
VDC |
100 |
V |
||
|
Arus maju rata-rata |
TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F) |
per perangkat
per dioda |
JIKA(AV) |
10 5 |
A |
|
Lonjakan arus maju non berulang 8,3 ms gelombang setengah sinus tunggal (JEDECMethod) |
IFSM |
120 |
A |
||
|
Suhu persimpangan maksimum |
Tj |
175 |
°C |
||
|
Kisaran suhu penyimpanan |
TSTG |
-40~+150 |
°C |
||
