 |
RoHS Menyetujui Cincin Penjaga Dioda Schottky Untuk Perlindungan Tegangan Lebih
Detail produk:
| Tempat asal: | Dong Guan Cina |
| Nama merek: | Uchi |
| Sertifikasi: | CE / RoHS / ISO9001 / UL |
| Nomor model: | MBR20150 |
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
| Kuantitas min Order: | perundingan |
|---|---|
| Harga: | Negotiation |
| Kemasan rincian: | Paket ekspor / Negosiasi |
| Waktu pengiriman: | perundingan |
| Syarat-syarat pembayaran: | T/T |
| Menyediakan kemampuan: | 2000000 per bulan |
|
Informasi Detail |
|||
| Jenis: | Dioda Schotky | Fitur: | produk RoHS |
|---|---|---|---|
| Jenis Paket: | Melalui lubang | Max. Maks. Forward Current Maju Arus: | 30A, 30A |
| Maks. Tegangan Maju: | 0,9V, 0,9V | Aplikasi: | Sakelar frekuensi tinggi Catu daya |
| Cahaya Tinggi: | Guard Ring Schottky Diode,Perlindungan Tegangan Lebih Schottky Diode,SBD Melalui Dioda Lubang |
||
Deskripsi Produk
Guard Ring Untuk Perlindungan Tegangan Lebih Schottky Diode Dengan RoHS
Keuntungan
SBD memiliki keunggulan frekuensi switching yang tinggi dan tegangan maju yang rendah, tetapi tegangan tembus baliknya relatif rendah, sebagian besar tidak lebih tinggi dari 60V, dan yang tertinggi hanya sekitar 100V, yang membatasi jangkauan aplikasinya.Seperti dioda freewheeling dari perangkat pengalih daya di sirkuit catu daya switching (SMPS) dan koreksi faktor daya (PFC), dioda penyearah frekuensi tinggi di atas 100V untuk transformator sekunder, dioda kecepatan tinggi 600V~1,2kV di sirkuit snubber RCD, dan Untuk dioda 600V yang digunakan dalam step-up PFC, hanya dioda epitaxial pemulihan cepat (FRED) dan dioda pemulihan ultra cepat (UFRD) yang digunakan.Trr waktu pemulihan terbalik dari UFRD juga lebih dari 20ns, yang tidak dapat memenuhi kebutuhan SMPS 1MHz~3MHz di bidang seperti stasiun luar angkasa.Bahkan untuk SMPS dengan hard switching pada 100kHz, karena hilangnya konduksi yang besar dan hilangnya switching UFRD, suhu case tinggi, dan heat sink yang besar diperlukan, yang meningkatkan ukuran dan berat SMPS, yang tidak memenuhi persyaratan miniaturisasi dan penjarangan.tren perkembangan.Oleh karena itu, pengembangan SBD tegangan tinggi di atas 100V selalu menjadi topik penelitian dan fokus perhatian.Dalam beberapa tahun terakhir, SBD telah membuat kemajuan terobosan, SBD tegangan tinggi 150V dan 200V telah terdaftar, dan SBD lebih dari 1kV yang terbuat dari bahan baru juga telah berhasil dikembangkan, sehingga menyuntikkan vitalitas dan vitalitas baru ke dalam penerapannya.
Fitur
1. Struktur katoda umum
2. Kehilangan daya rendah, efisiensi tinggi
3. Suhu Persimpangan Operasi Tinggi
4. Cincin pelindung untuk perlindungan tegangan berlebih, Keandalan tinggi
5. Produk RoHS
Aplikasi
1. Saklar frekuensi tinggi Catu daya
2. Dioda wheeling gratis, aplikasi perlindungan Polaritas
KARAKTER UTAMA
|
JIKA(AV) |
10(2×5)A |
|
VF(maks) |
0,7V (@Tj=125°C) |
|
Tj |
175 °C |
|
VRRM |
100 V |
PESAN PRODUK
|
Model |
Menandai |
Kemasan |
|
MBR10100 |
MBR10100 |
KE-220C |
|
MBRF10100 |
MBRF10100 |
KE-220F |
|
MBR10100S |
MBR10100S |
KE-263 |
|
MBR10100R |
MBR10100R |
KE-252 |
|
MBR10100V |
MBR10100V |
KE-251 |
|
MBR10100C |
MBR10100C |
KE-220 |
PERINGKAT MUTLAK (Tc=25°C)
|
Parameter |
Simbol |
Nilai |
Satuan |
||
|
Tegangan balik puncak berulang |
VRRM |
100 |
V |
||
|
Tegangan pemblokiran DC maksimum |
VDC |
100 |
V |
||
|
Arus maju rata-rata |
TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F) |
per perangkat
per dioda |
JIKA(AV) |
10 5 |
A |
|
Lonjakan arus maju non berulang 8,3 ms gelombang setengah sinus tunggal (JEDECMethod) |
IFSM |
120 |
A |
||
|
Suhu persimpangan maksimum |
Tj |
175 |
°C |
||
|
Kisaran suhu penyimpanan |
TSTG |
-40~+150 |
°C |
||
