 |
SMD Varistor dengan High Peak Reverse Voltage Rated untuk efektif DDR5 16Gb A-Die SDRAM
Detail produk:
| Tempat asal: | Dongguan, Guangdong, Tiongkok |
| Nama merek: | UCHI |
| Sertifikasi: | SGS.MA.CTI.CQC |
| Nomor model: | DDR5 16Gb A-Die SDRAM |
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
| Kuantitas min Order: | 10000 buah |
|---|---|
| Harga: | dapat dinegosiasikan |
| Kemasan rincian: | Massal/Pita |
| Waktu pengiriman: | 5-7 hari |
| Syarat-syarat pembayaran: | T/T, Paypal, Western Union, Uang gram |
| Menyediakan kemampuan: | 5000.000.000PCS Per Bulan |
|
Informasi Detail |
|||
| Seri Produksi: | Varistor SMD | Arus Maksimum: | Bervariasi (misalnya, hingga beberapa ampere) |
|---|---|---|---|
| Teknologi: | Oksida Logam | Penyerapan Energi: | Biasanya 0,1J hingga 10J |
| Aplikasi: | Perlindungan lonjakan arus di sirkuit elektronik | Peringkat Tegangan DC: | 385V |
| Nama baik: | SMD Varistor 10D471K 470V 10% | Resistensi energi: | A 0,02JB 0,05J |
| Resistensi Isolasi: | Biasanya >100 MΩ | Terminal: | Pemasangan SMT Khusus |
| Suhu penyimpanan: | -55 +125 | Tegangan Varistor AC: | 175-385V |
| Tegangan Varistor: | 470V+/-10% | ||
| Menyoroti: | SMD Varistor untuk DDR5 SDRAM,Varistor tegangan terbalik puncak tinggi,SMD Varistor dengan kompatibilitas A-Die |
||
Deskripsi Produk
SDRAM DDR5 16Gb A-Die
1.1 Fitur Utama
• Sesuai Standar JEDEC;
• Catu Daya: VDD/VDDQ = 1.1V (1.067V (-3%) hingga 1.166V (+6%));
• Catu Daya: VPP = 1.8V (1.746V (-3%) hingga 1.908V (+6%));
• Paket standar JEDEC: FBGA 82 bola untuk x4/x8, FBGA 102 bola untuk x16;
• Konfigurasi Array:
• 32 bank (8 grup bank, 4 bank untuk setiap grup bank) untuk x4/x8;
• 16 bank (4 grup bank, 4 bank untuk setiap grup bank) untuk x16;
• Arsitektur prefetch 16n-bit;
• Panjang Burst (BL): BL16, BC8 OTF, BL32 (Opsional), BL32 OTF (Opsional) didukung; • Latensi CAS (CL) yang dapat diprogram;
• Latensi Tulis CAS (CWL) yang dapat diprogram;
On-Die Termination (ODT) melalui pengaturan Mode Register: RTT_PARK, RTT_WR, RTT_NOM_WR, RTT_NOM_RD, DQS_RTT_PARK
Same Bank Refresh dan All Bank Refresh untuk Mode Refresh Normal dan Mode Refresh Granularitas Halus; • Mode refresh granularitas halus 2x (0°C ≤ TCase ≤ 85°C), 4x (85°C ≤ TCase ≤ 95°C) untuk tRFC yang lebih kecil;
• Data-Strobe Diferensial Bi-arah;
• Antarmuka POD (Pseudo Open Drain) untuk input/output data, input perintah dan alamat;
• Mode Uji Konektivitas (TEN) didukung;
• VREF Internal untuk input data, input perintah/alamat, dan pemilihan chip;
• CAI (Command Address Inversion);
• Mode 1N/2N didukung untuk Perintah;
• Equalizer Decision Feedback (DFE) 4-tap didukung;
• Loopback dan Uji Tingkat Kesalahan Bit didukung;
• hPPR/sPPR didukung; sPPR Do/undo/Lock didukung;
• Mode Pelatihan:
• Pelatihan VrefDQ / VrefCA / VrefCS
• Mode Pelatihan Baca
• Mode Pelatihan CA
• Mode Pelatihan CS
• Pelatihan VREFDQ Per Pin
• Mode Pelatihan Penyetelan Tulis
• Penyesuai Siklus Tugas (DCA) untuk Baca - Global
• DCA (Penyesuai Siklus Tugas) Per Pin untuk Baca - Per Pin (DQ) • Alamat DRAM Per (PDA);
• Mode Penghematan Daya Maksimum (MPSM);
• Perintah Serbaguna (MPC);
• Reset Asinkron untuk pengaktifan daya;
Suhu kasus operasi: 0°C ≤ TCase ≤ 95°C;
• Mendukung mode auto-refresh dan self-refresh;
• Periode Refresh Rata-rata:
• 3.9 μs/32ms, 8K siklus pada 0°C ≤ TCase ≤ 85°C; • 1.95 μs/16ms, 8K siklus pada 85°C < TCase ≤ 95°C;
Preambel dan postambel Baca/Tulis yang dapat diprogram;
• Cyclic Redundancy Code (CRC) didukung untuk Integritas Data Baca/Tulis; • ECC di Dalam Chip;
• Transparansi ECC dan Pembersihan Kesalahan;
• MBIST / mPPR;
• Mode Gear Down tidak didukung;
• Mode Uji Driver Output Paket;
• Refresh Array Parsial (PASR) tidak didukung;
• Sesuai RoHS
Catatan:
Fungsionalitas yang dijelaskan dan spesifikasi waktu yang disertakan dalam datasheet ini adalah untuk mode operasi DLL Aktif (operasi normal), kecuali dinyatakan lain.
Spesifikasi Paket SDRAM DDR5
Bab ini akan memperkenalkan dimensi paket dan ballout dalam konfigurasi x4/x8/x16 yang mungkin membantu untuk mencocokkan perangkat Anda.
Dimensi Paket SDRAM DDR5 di Halaman 7
• Ballout DDR5 SDRAM x8 Menggunakan MO-210-AN – 82 bola di Halaman 8 • Deskripsi Pinout di Halaman 9
Ingin Tahu lebih detail tentang produk ini
