• SOT-89 D882 NPN Transistor Elektronik Plastik Enkapsulasi Daya Dissipasi
  • SOT-89 D882 NPN Transistor Elektronik Plastik Enkapsulasi Daya Dissipasi
  • SOT-89 D882 NPN Transistor Elektronik Plastik Enkapsulasi Daya Dissipasi
SOT-89 D882 NPN Transistor Elektronik Plastik Enkapsulasi Daya Dissipasi

SOT-89 D882 NPN Transistor Elektronik Plastik Enkapsulasi Daya Dissipasi

Detail produk:

Tempat asal: Dong Guan Cina
Nama merek: UCHI
Sertifikasi: Completed
Nomor model: D882

Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:

Kuantitas min Order: 1000 pcs
Harga: dapat dinegosiasikan
Kemasan rincian: Standar
Waktu pengiriman: 3 minggu
Syarat-syarat pembayaran: T/T, Western Union
Menyediakan kemampuan: 5000 pcs
Harga terbaik Kontak

Informasi Detail

Menyoroti:

Transistor elektronik NPN

,

Plastik Transistor Elektronik Kapsul

,

Transistor elektronik Dissipasi Daya

Deskripsi Produk

SOT-89 D882 Transistor Plastik-Encapsulated

 

Fitur
 
Penghambatan daya
 
 

Maksimal Rating (T)a= 25°C kecuali sebaliknya diperhatikan)

 

Simbol Parameter Nilai Satuan
VCBO Tegangan dasar kolektor 40 V
VCEO Tegangan kolektor-emitter 30 V
VEBO Tegangan dasar pemancar 6 V
AkuC Kolektor arus - Kontinyu 3 A
PC Pembuangan Daya Kolektor 0.5 W
TJ Suhu persimpangan 150 °C
Tstg Suhu penyimpanan -55 ~ 150 °C

 

Karakteristik Listrik ((Ta=25°C kecuali ditentukan lain)

Parameter Simbol Kondisi pengujian Min Jenis Maksimal Satuan
Tegangan pemisahan basis kolektor V ((BR) CBO IC = 100μA, IE = 0 40     V
Tegangan pemisahan kolektor-emitter V ((BR)CEO IC = 10mA, IB = 0 30     V
Tegangan pemisahan basis emitter V ((BR) EBO IE= 100μA, IC=0 6     V
Arus pemotongan kolektor ICBO VCB = 40V, IE = 0     1 μA
Arus pemotongan kolektor ICEO VCE = 30V, IB = 0     10 μA
Arus pemotongan pemancar IEBO VEB = 6V, IC = 0     1 μA
arus DC keuntungan hFE(1) VCE = 2V, IC = 1A 60   400  
  hFE(2) VCE = 2V, IC = 100mA 32      
Tegangan jenuh kolektor-emitter VCE (sat) IC= 2A, IB= 0,2 A     0.5 V
Tegangan jenuh base-emitter VBE ((sat) IC= 2A, IB= 0,2 A     1.5 V
Frekuensi transisi fT VCE = 5V, Ic = 0,1A f = 10MHz 50     MHz

 

Klasifikasi hFE(1)

 

Peringkat R O Y GR
Jangkauan 60-120 100-200 160-320 200 sampai 400

 

Tipikal Karakteristik

SOT-89 D882 NPN Transistor Elektronik Plastik Enkapsulasi Daya Dissipasi 0

Ingin Tahu lebih detail tentang produk ini
SOT-89 D882 NPN Transistor Elektronik Plastik Enkapsulasi Daya Dissipasi bisakah Anda mengirimkan saya lebih banyak detail seperti jenis, ukuran, jumlah, bahan, dll.
Terima kasih!
Menunggu jawaban Anda.